Fixed some formatting in readme
This commit is contained in:
parent
e5cac21eef
commit
3e64620c4b
GPG Key ID:
027994B0AA357688
127
README.md
127
README.md
@ -1,3 +1,5 @@
|
||||
<center>
|
||||
|
||||
**МИНОБРНАУКИ РОССИИ**
|
||||
|
||||
**Санкт-Петербургский государственный**
|
||||
@ -42,8 +44,6 @@ class="smallcaps"><span style="letter-spacing: 0.3pt">**<span
|
||||
style="font-variant: normal"><span lang="ru-RU">
|
||||
14,6,3</span></span>**</span></span>
|
||||
|
||||
https://www.meme-arsenal.com/memes/4598e00877a721c55a46dc4aafb78719.jpg
|
||||
|
||||
|
||||
|
||||
|
||||
@ -89,98 +89,84 @@ style="border-top: 1px solid #000000; border-bottom: 1px solid #000000; border-l
|
||||
Санкт-Петербург
|
||||
|
||||
2023
|
||||
</center>
|
||||
|
||||
# Содержание
|
||||
|
||||
[Задание 4](#__RefHeading___Toc9341_1004173995)
|
||||
[Задание](#__RefHeading___Toc9341_1004173995)
|
||||
|
||||
[1) Определить класс симметрии заданных материалов, построить прямую и
|
||||
обратную элементарные ячейки заданных материалов. Определить размеры
|
||||
Зоны Бриллюэна в направлениях X, L, К.
|
||||
5](#__RefHeading___Toc9343_1004173995)
|
||||
Зоны Бриллюэна в направлениях X, L, К](#__RefHeading___Toc9343_1004173995)
|
||||
|
||||
[1.1) Металл — золото (Au): 5](#__RefHeading___Toc9345_1004173995)
|
||||
[1.1) Металл — золото (Au)](#__RefHeading___Toc9345_1004173995)
|
||||
|
||||
[1.2) Полупроводник - антимонид индия (InSb)
|
||||
8](#__RefHeading___Toc9347_1004173995)
|
||||
[1.2) Полупроводник - антимонид индия (InSb)](#__RefHeading___Toc9347_1004173995)
|
||||
|
||||
[2) Определить концентрацию электронов для заданного металла из условия
|
||||
касания зоны Бриллюэна и сферы Ферми и сделать суждение о применимости
|
||||
теории свободных электронов. 9](#__RefHeading___Toc9349_1004173995)
|
||||
теории свободных электронов](#__RefHeading___Toc9349_1004173995)
|
||||
|
||||
[3) Рассчитать и построить зависимости средней длины свободного пробега,
|
||||
времени релаксации и электропроводности от температуры для металла в
|
||||
диапазоне температур (0,1 - 10) *Т*<sub>*D*</sub>. Оценить степень
|
||||
дефектности металла по заданной величине удельного сопротивления.
|
||||
10](#__RefHeading___Toc9351_1004173995)
|
||||
дефектности металла по заданной величине удельного сопротивления](#__RefHeading___Toc9351_1004173995)
|
||||
|
||||
[3.1) Исследование температурной зависимости длины свободного пробега
|
||||
10](#__RefHeading___Toc9353_1004173995)
|
||||
[3.1) Исследование температурной зависимости длины свободного пробега](#__RefHeading___Toc9353_1004173995)
|
||||
|
||||
[3.2) Исследование влияния дефектов на время релаксации
|
||||
11](#__RefHeading___Toc9355_1004173995)
|
||||
[3.2) Исследование влияния дефектов на время релаксации](#__RefHeading___Toc9355_1004173995)
|
||||
|
||||
[3.3) Исследование температурной зависимости электропроводности и
|
||||
теплопроводности металлов 13](#__RefHeading___Toc9357_1004173995)
|
||||
теплопроводности металлов](#__RefHeading___Toc9357_1004173995)
|
||||
|
||||
[3.4) Оценить степень дефектности металла по заданной величине удельного
|
||||
сопротивления 16](#__RefHeading___Toc9359_1004173995)
|
||||
сопротивления](#__RefHeading___Toc9359_1004173995)
|
||||
|
||||
[<span style="font-style: normal">4) Рассчитать и построить зависимость
|
||||
электропроводности от толщины </span>металлической пленки при заданной
|
||||
температуре. Определить минимально возможную толщину металлизации.
|
||||
17](#__RefHeading___Toc9365_1004173995)
|
||||
температуре. Определить минимально возможную толщину металлизации](#__RefHeading___Toc9365_1004173995)
|
||||
|
||||
[5) Определить эффективную массу носителей заряда, их концентрацию и
|
||||
степень вырождения электронно-дырочного газа в заданном собственном
|
||||
полупроводнике в данном диапазоне температур. Рассчитать и построить
|
||||
зависимости концентрации, подвижности и электропроводности от
|
||||
температуры для заданного примесного полупроводника.
|
||||
19](#__RefHeading___Toc7584_2535136682)
|
||||
температуры для заданного примесного полупроводника](#__RefHeading___Toc7584_2535136682)
|
||||
|
||||
[5.1) Определить эффективную массу носителей заряда
|
||||
19](#__RefHeading___Toc7586_2535136682)
|
||||
[5.1) Определить эффективную массу носителей заряда](#__RefHeading___Toc7586_2535136682)
|
||||
|
||||
[5.2) Оценка степени вырождения электронного газа
|
||||
19](#__RefHeading___Toc7588_2535136682)
|
||||
[5.2) Оценка степени вырождения электронного газа](#__RefHeading___Toc7588_2535136682)
|
||||
|
||||
[5.3) Исследование зависимости концентрации носителей заряда от
|
||||
температуры для собственного полупроводника
|
||||
20](#__RefHeading___Toc7590_2535136682)
|
||||
температуры для собственного полупроводника](#__RefHeading___Toc7590_2535136682)
|
||||
|
||||
[5.4) Исследование зависимости концентрации носителей заряда от
|
||||
температуры для примесного полупроводника
|
||||
21](#__RefHeading___Toc7592_2535136682)
|
||||
температуры для примесного полупроводника](#__RefHeading___Toc7592_2535136682)
|
||||
|
||||
[5.5) Исследование зависимости подвижности от температуры для примесного
|
||||
полупроводника 23](#__RefHeading___Toc7951_3827154421)
|
||||
полупроводника](#__RefHeading___Toc7951_3827154421)
|
||||
|
||||
[5.6) Исследование зависимости электропроводности от температуры для
|
||||
примесного полупроводника 23](#__RefHeading___Toc7953_3827154421)
|
||||
примесного полупроводника](#__RefHeading___Toc7953_3827154421)
|
||||
|
||||
[6) Рассчитать зависимости энергии Ферми и термодинамической работы
|
||||
выхода для примесного полупроводника от температуры.
|
||||
25](#__RefHeading___Toc7955_3827154421)
|
||||
выхода для примесного полупроводника от температуры](#__RefHeading___Toc7955_3827154421)
|
||||
|
||||
[7) Построить энергетическую диаграмму заданной пары
|
||||
металл-полупроводник в выбранном масштабе для случаев: без смещения, при
|
||||
прямом и обратном смещениях. Рассчитать вольтамперную характеристику
|
||||
контакта в данном диапазоне температур.
|
||||
26](#__RefHeading___Toc7957_3827154421)
|
||||
контакта в данном диапазоне температур](#__RefHeading___Toc7957_3827154421)
|
||||
|
||||
[7.1) Энергетическая диаграмма 26](#__RefHeading___Toc7959_3827154421)
|
||||
[7.1) Энергетическая диаграмма](#__RefHeading___Toc7959_3827154421)
|
||||
|
||||
[7.2) Вольт-амперная характеристика
|
||||
27](#__RefHeading___Toc7961_3827154421)
|
||||
[7.2) Вольт-амперная характеристика](#__RefHeading___Toc7961_3827154421)
|
||||
|
||||
[8) Рассчитать концентрацию носителей заряда в заданном полупроводнике
|
||||
для создания омического контакта к металлу.
|
||||
29](#__RefHeading___Toc3417_2577644421)
|
||||
для создания омического контакта к металлу](#__RefHeading___Toc3417_2577644421)
|
||||
|
||||
[9) Сделать выводы и дать рекомендации по применению исследуемого
|
||||
контакта металл-полупроводник 30](#__RefHeading___Toc7965_3827154421)
|
||||
контакта металл-полупроводник](#__RefHeading___Toc7965_3827154421)
|
||||
|
||||
[Список литературы 32](#__RefHeading___Toc9363_1004173995)
|
||||
[Список литературы](#__RefHeading___Toc9363_1004173995)
|
||||
|
||||
|
||||
|
||||
@ -395,6 +381,7 @@ style="border-top: none; border-bottom: 1px solid #000000; border-left: 1px soli
|
||||
рис. 1-3 приведены изображения осей, плоскостей и центра симметрии для
|
||||
последнего
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_ba3fdeb38786a6bd.gif"
|
||||
id="Picture 20" data-align="middle" width="293" height="250"
|
||||
@ -402,8 +389,10 @@ alt="Picture 20" />
|
||||
|
||||
Рис. 1 Изображение осей симметрии кубической решётки
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_eea170a8799b8110.png"
|
||||
id="Image1" data-align="bottom" data-border="0" width="436"
|
||||
@ -411,6 +400,8 @@ height="289" />
|
||||
|
||||
Рис. 2 Изображение плоскостей симметрии куба
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_f9b19430cb57b85c.png"
|
||||
id="Image2" data-align="bottom" data-border="0" width="200"
|
||||
@ -418,6 +409,7 @@ height="233" />
|
||||
|
||||
Рис. 3 Изображение центра симметрии куба
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
Базисные вектора:
|
||||
|
||||
<img
|
||||
@ -442,6 +434,7 @@ id="Object32" width="80" height="60" />
|
||||
|
||||
Кристаллическая решётка по заданным векторам построена на рис. 4
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_64a232351c90da73.png"
|
||||
id="Image3" data-align="bottom" data-border="0" width="431"
|
||||
@ -449,6 +442,7 @@ height="346" />
|
||||
|
||||
Рис. 4 Тройка основных векторов для ГЦК решётки
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
Объём элементарной ячейки:
|
||||
|
||||
<img
|
||||
@ -473,6 +467,7 @@ id="Object8" width="110" height="60" />
|
||||
|
||||
Что соответствует ОЦК. Её изображение на рис. 5.
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_bb46b2701121e8bf.png"
|
||||
id="Image4" data-align="middle" data-border="0" width="396"
|
||||
@ -480,8 +475,10 @@ height="349" />
|
||||
|
||||
Рис. 5 Обратная решётка для ГЦК — ОЦК
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
Первая зона Бриллюэна (рис. 6):
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_6a484cbf35545f1f.png"
|
||||
id="Image5" data-align="bottom" data-border="0" width="450"
|
||||
@ -489,6 +486,7 @@ height="285" />
|
||||
|
||||
Рис. 6 Первая зона Бриллюэна
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
Размеры зоны Бриллюэна по направлениям X, L, K:
|
||||
|
||||
<img
|
||||
@ -508,6 +506,7 @@ id="Object11" width="150" height="40" /> - середина грани соед
|
||||
|
||||
## <span id="__RefHeading___Toc9347_1004173995"></span> 1.2) Полупроводник - антимонид индия (InSb)
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_ae54349c2dd5c96.png"
|
||||
id="Image6" data-align="bottom" data-border="0" width="365"
|
||||
@ -515,6 +514,7 @@ height="331" />
|
||||
|
||||
Рис. 7 Антимонид индия
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
Структура: Гранецентрированная кубическая решётка
|
||||
|
||||
Формула симметрии: 3L<sub>4</sub>4L<sub>3</sub>6L<sub>2</sub>9PC
|
||||
@ -607,6 +607,7 @@ id="Object42" width="59" height="38" /> , где Z — его валентнос
|
||||
|
||||
В элементарной ГЦК решётке N = 4 атома (см. рис. 8)
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_754b2cef434e4a9b.png"
|
||||
id="Image7" data-align="bottom" data-border="0" width="232"
|
||||
@ -614,6 +615,7 @@ height="234" />
|
||||
|
||||
Рис. 8 Атомы элементарной ячейки ГЦК решётки
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
При Z = 1 <img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_72a33f945b1ac0f1.gif"
|
||||
id="Object43" width="203" height="40" />
|
||||
@ -676,6 +678,7 @@ id="Object20" width="114" height="20" /> , <img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_ca8c1e603644f7df.gif"
|
||||
id="Object21" width="115" height="20" />
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_bc702b27098d553.png"
|
||||
id="Image8" data-align="bottom" data-border="0" width="630"
|
||||
@ -683,6 +686,7 @@ height="469" />
|
||||
|
||||
Рис. 9 График зависимости длин свободного пробега от температуры
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
*Вывод:* с ростом температуры длина свободного пробега действительно
|
||||
уменьшается.
|
||||
|
||||
@ -896,6 +900,7 @@ style="font-weight: normal">постоянным</span></span></span><span
|
||||
lang="ru-RU"><span style="font-style: normal"><span
|
||||
style="font-weight: normal">.</span></span></span>
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_db62ac1c94ea0e4f.png"
|
||||
id="Image9" data-align="bottom" data-border="0" width="605"
|
||||
@ -913,6 +918,8 @@ style="font-weight: normal">времени релаксации
|
||||
style="font-style: normal"><span style="font-weight: normal">от
|
||||
температуры</span></span></span>
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
|
||||
<span lang="ru-RU"><span style="font-style: normal"><span
|
||||
style="font-weight: normal">Для разны</span></span></span><span
|
||||
lang="ru-RU"><span style="font-style: normal"><span
|
||||
@ -1240,6 +1247,7 @@ id="Object96" width="55" height="20" /></p></td>
|
||||
|
||||
Изобразим их на графиках:
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_1adbef4ef9b99a7d.png"
|
||||
id="Image10" data-align="bottom" data-border="0" width="522"
|
||||
@ -1294,6 +1302,8 @@ style="font-style: normal">электропроводностей и тепло
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_86d47cd74dd5c41f.gif"
|
||||
id="Object100" width="14" height="14" /> </span>
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
|
||||
*Вывод:*<span style="font-style: normal"> </span><span
|
||||
style="font-style: normal">С ростом концентрации </span><span
|
||||
style="font-style: normal">дефектов </span><span
|
||||
@ -1396,6 +1406,7 @@ id="Object110" width="279" height="49" /> , где <img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_345ba5b2158dd16e.gif"
|
||||
id="Object111" width="69" height="41" />
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_d86b73aae98d4893.png"
|
||||
id="Image14" data-align="bottom" data-border="0" width="549"
|
||||
@ -1403,7 +1414,9 @@ height="410" />
|
||||
|
||||
Рис. 15 График удельного сопротивления от толщины плёнки при параметре
|
||||
зеркальности 0
|
||||
</center>
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_b66a53643b99b09b.png"
|
||||
id="Image15" data-align="bottom" data-border="0" width="551"
|
||||
@ -1411,6 +1424,7 @@ height="412" />
|
||||
|
||||
Рис. 16 График удельного сопротивления от толщины плёнки при параметре
|
||||
зеркальности 0.5
|
||||
</center>
|
||||
|
||||
При p = 1 (весь импульс электрона по направлению тока сохраняется),
|
||||
размерный эффект отсутствует
|
||||
@ -1467,6 +1481,7 @@ src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/READ
|
||||
id="Object128" width="80" height="20" /> . Их график представлен на рис.
|
||||
17.
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_305c5aa14404db5b.png"
|
||||
id="Image16" data-align="bottom" data-border="0" width="452"
|
||||
@ -1474,6 +1489,7 @@ height="355" />
|
||||
|
||||
Рис. 17 График температурной зависимости энергии Ферми и тепловой
|
||||
энергии
|
||||
</center>
|
||||
|
||||
Как видно из графика, критерий вырожденности <img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_331719d649a791b4.gif"
|
||||
@ -1487,6 +1503,7 @@ src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/READ
|
||||
id="Object132" width="63" height="18" /> , распределение показано на
|
||||
рис. 18.
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_fa4c00daf6cc7eb7.png"
|
||||
id="Image17" data-align="bottom" data-border="0" width="570"
|
||||
@ -1495,6 +1512,7 @@ height="436" />
|
||||
Рис. 18 Распределение Ферми-Дирака носителей заряда по энергиям при <img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_2529c525c3dc8fe1.gif"
|
||||
id="Object131" width="63" height="18" />
|
||||
</center>
|
||||
|
||||
## <span id="__RefHeading___Toc7590_2535136682"></span> 5.3) Исследование зависимости концентрации носителей заряда от температуры для собственного полупроводника
|
||||
|
||||
@ -1511,6 +1529,7 @@ id="Object134" width="253" height="47" />
|
||||
|
||||
Их график приведён на рис. 19.
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_5349095a811ea589.png"
|
||||
id="Image18" data-align="bottom" data-border="0" width="577"
|
||||
@ -1518,6 +1537,7 @@ height="440" />
|
||||
|
||||
Рис. 19 График зависимостей концентрации электронов и дырок от
|
||||
температуры
|
||||
</center>
|
||||
|
||||
## <span id="__RefHeading___Toc7592_2535136682"></span> 5.4) Исследование зависимости концентрации носителей заряда от температуры для примесного полупроводника
|
||||
|
||||
@ -1547,6 +1567,7 @@ id="Object137" width="75" height="20" />
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_c2043b4f39e95cd0.gif"
|
||||
id="Object138" width="131" height="20" />
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_612e6b1fe82830c7.png"
|
||||
id="Image19" data-align="bottom" data-border="0" width="550"
|
||||
@ -1554,7 +1575,9 @@ height="410" />
|
||||
|
||||
Рис. 20 График зависимости концентрации зарядов в примесном проводнике
|
||||
от обратной температуры
|
||||
</center>
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_f9e2f2ab0ee933e8.png"
|
||||
id="Image22" data-align="bottom" data-border="0" width="552"
|
||||
@ -1562,6 +1585,7 @@ height="412" />
|
||||
|
||||
Рис. 21 График зависимости концентрации зарядов в примесном проводнике
|
||||
от температуры
|
||||
</center>
|
||||
|
||||
По графику определяются температуры перехода к собственной проводимости
|
||||
и истощения примесей: *T*<sub>*s*</sub> = 148 *К* (точка пересечения
|
||||
@ -1586,6 +1610,7 @@ id="Object167" width="130" height="22" /> — подвижности при 300
|
||||
|
||||
Их график приведён на рис. 22.
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_9f4c92dd715c073b.png"
|
||||
id="Image20" data-align="bottom" data-border="0" width="552"
|
||||
@ -1593,6 +1618,8 @@ height="404" />
|
||||
|
||||
Рис. 22 График подвижностей электронов и дырок
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
|
||||
## <span id="__RefHeading___Toc7953_3827154421"></span> 5.6) Исследование зависимости электропроводности от температуры для примесного полупроводника
|
||||
|
||||
Электропроводность проводника выражается следующим образом:
|
||||
@ -1603,6 +1630,8 @@ id="Object141" width="222" height="20" /> , где *p*(*T*) — концентр
|
||||
дырок из подпункта 5.3, а *n*(*T*) — суммарная концентрация электронов
|
||||
из 5.4. График приведён на рис. 23
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_d63d4b92fa2deb1a.png"
|
||||
id="Image21" data-align="bottom" data-border="0" width="552"
|
||||
@ -1610,6 +1639,8 @@ height="416" />
|
||||
|
||||
Рис. 23 График электропроводности примесного полупроводника
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
|
||||
<span id="__RefHeading___Toc8043_3827154421"></span> *Вывод*: ввиду
|
||||
вырожденности, электронный газ описывается распределением Ферми-Дирака.
|
||||
В собственном полупроводнике количество электронов и дырок равно,
|
||||
@ -1694,6 +1725,7 @@ id="Object153" width="159" height="22" />
|
||||
|
||||
## <span id="__RefHeading___Toc7959_3827154421"></span> 7.1) Энергетическая диаграмма
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_f0b1b3481e189715.png"
|
||||
id="Image23" data-align="bottom" data-border="0" width="643"
|
||||
@ -1701,6 +1733,8 @@ height="291" />
|
||||
|
||||
Рис. 24 Энергетическая диаграмма металл-вакуум-полупроводник
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_78d26dae8ff34ae2.png"
|
||||
id="Image24" data-align="bottom" data-border="0" width="643"
|
||||
@ -1708,6 +1742,7 @@ height="429" />
|
||||
|
||||
Рис. 25 Энергетическая диаграмма металл-полупроводник
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
Вывод: Так как <img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_725b7795b4c693f8.gif"
|
||||
id="Object158" width="58" height="22" /> , следовательно, наблюдается
|
||||
@ -1733,6 +1768,7 @@ id="Object162" width="131" height="44" /> - плотность тока насы
|
||||
|
||||
Для трёх температур на рис. 28-30 приведены графики ВАХ.
|
||||
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_87646d39cbf9580f.png"
|
||||
id="Image25" data-align="bottom" data-border="0" width="569"
|
||||
@ -1740,6 +1776,8 @@ height="447" />
|
||||
|
||||
Рис. 28 ВАХ контакта при *T* = 300 *К*
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_3aba488c88973add.png"
|
||||
id="Image26" data-align="bottom" data-border="0" width="569"
|
||||
@ -1747,6 +1785,8 @@ height="447" />
|
||||
|
||||
Рис. 29 ВАХ контакта при *T* = 250 *К*
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
<center>
|
||||
<img
|
||||
src="https://git.dm1sh.ru/dm1sh/radiomaterials_ihw/raw/branch/main/pictures/README_html_a62ac31d5e612ec4.png"
|
||||
id="Image27" data-align="bottom" data-border="0" width="569"
|
||||
@ -1754,6 +1794,7 @@ height="447" />
|
||||
|
||||
Рис. 30 ВАХ контакта при *T* = 50 *К*
|
||||
|
||||
</center>
|
||||
<span style="font-style: normal">Вывод: </span><span
|
||||
style="font-style: normal">анти-барьер Шоттки </span><span
|
||||
style="font-style: normal">виден и на</span><span
|
||||
@ -1842,5 +1883,3 @@ id="Object168" width="80" height="18" /> . Поэтому на вольт-амп
|
||||
4. Гольдберг Ю.А. Омический контакт металл--полупроводник AIIIBV:
|
||||
методы создания и свойства // Физика и техника полупроводников.
|
||||
1994, вып (№) 10. С. 1681-1689
|
||||
|
||||
<span style="background: #c0c0c0">32</span>
|
||||
|
||||
Loading…
x
Reference in New Issue
Block a user